型号 IRFBF30STRR
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRFBF30STRR PDF
代理商 IRFBF30STRR
标准包装 800
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.7 欧姆 @ 2.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
同类型PDF
IRFBG20 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
IRFBG20L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
IRFBG20PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
IRFBG30 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
IRFBG30PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
IRFD010 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
IRFD010PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
IRFD014 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
IRFD014PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
IRFD020PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
IRFD024 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
IRFD024PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
IRFD110 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
IRFD110PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
IRFD120 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
IRFD120PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
IRFD123PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
IRFD210 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
IRFD210PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
IRFD214 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP